)，里边有一个浮置栅极(Floating Gate)，它便是真实存储数据的单元。请看下图：

  数据在闪存的存储单元中是以电荷(electrical charge) 方式存储的。存储电荷的多少，取决于图中的操控栅极(Control gate)所被施加的电压，其操控了是向存储单元中冲入电荷仍是使其开释电荷。而数据的表明，以所存储的电荷的电压是否超越一个特定的阈值Vth来表明。

  1.关于NAND闪存的写入(编程)，便是操控Control Gate去充电(对Control Gate施加电压)，使得浮置栅极存储的电荷够多，超越阈值Vth，就表明0。

  2.关于NAND Flash的擦除(Erase)，便是对浮置栅极放电，低于阈值Vth，就表明1。

  NAND型闪存的擦和写均是根据地道效应，电流穿过浮置栅极与硅底层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电(写数据)或放电(擦除数据)。(见下图)而这个绝缘层会跟着擦写而耗费。而跟着制程的提高，FG层包容的电子会变少，而绝缘层也会变的越来越薄，所以耗费才能也会相应下降，这便是为什么新制程的颗粒寿数反而越来越短的原因。以intel为例，40nm的MLC闪存寿数大约为5000次，而25nm仅为3000次，到了19nm只剩下2000，而部分厂商的16nmMLC闪存则只要1500次的寿数。

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